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Intel produz transistor de silício em 3 D

'Os cientistas e engenheiros da Intel, mais uma vez, reinventaram o transistor, desta vez utilizando a terceira dimensão', disse o executivo-chefe da Intel, Paul Otellini.

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A Intel anunciou nesta última quinta-feira, 05 de maio, que, finalmente, desde a invenção do transistor de silício há mais de 50 anos, encontrou uma maneira de produzir em massa diversos transistores em três dimensões, em vez de apenas duas dimensões.

O "revolucionário" transistor Tri-Gate da Intel foi construído com projeção para cima, e não para os lados. "Os cientistas e engenheiros da Intel, mais uma vez, reinventaram o transistor, desta vez utilizando a terceira dimensão", disse o executivo-chefe da Intel, Paul Otellini.

"Esses tipos de transistores serão criados a partir dessa capacidade à medida que avançamos a Lei de Moore para novos domínios". A Lei de Moore é um princípio no qual o número de transistores que podem ser colocados de forma econômica em um circuito integrado cada dois anos.

A tendência tem se mantido fiel durante meio século e tem sido o cerne de um estilo de vida móvel, no qual smartphones, tablets e outros dispositivos crescem em capacidade, enquanto diminuem de tamanho.

O chip Tri-Gate, divulgado pela primeira vez pela Intel em 2002, é fabricado com 22 nanômetros. Um nanômetro é um bilionésimo de um metro. "Os ganhos de desempenho e economia de energia dos chips (transistores) 3D Tri-Gate da Intel não se compara a nada que já tenhamos visto até o momento", disse o Diretor de Arquitetura de Processos e Integração da Intel, Mark Bohr, também membro do grupo de Desenvolvimento de Tecnologia da empresa, localizado em Hillsboro, Oregon, nos Estados Unidos.



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